截至2026年11月13日09:33 ,科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.03% 。科创芯片设计ETF国联安盘中换手1.19%,成交1070.17万元。成分股东芯股份上涨5.84%,杰华特上涨4.87% ,寒武纪上涨4.50%,概伦电子,盛科通信等个股跟涨。

三星电子HBM工厂提前一年投产,科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%

  半导体ETF国联安(512480)备受市场关注,是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF ,一键布局中国半导体全产业链更均衡 。场外联接(A类:007300;C类:007301)。

三星电子HBM工厂提前一年投产,科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%

  消息面上,为应对AI芯片的爆发式需求 ,三星电子将位于温阳的全新HBM工厂的投产时间较原计划提前约一年,定于2028年6月投产。这是三星集团推进的三大大型项目中首个动工的项目 。三星这一动作并非孤立的企业扩产,而是全球AI算力产业链进入高强度资本开支周期的典型信号 ,将向半导体设备端传导增量需求。

三星电子HBM工厂提前一年投产,科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%

  中原证券指出 ,存储相关设备支出有望持续加速扩张。AI推理 、上下文窗口扩展及智能体推动存储产品需求呈现爆发式增长态势,存储市场正经历一轮超级周期,存储相关设备支出预计将在2028年前显著扩张 。

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